1. IPI180N10N3 G
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图片仅供参考,产品以实物为准

厂商型号

IPI180N10N3 G 

产品描述

MOSFET N-KANAL POWER MOS

内部编号

173-IPI180N10N3-G

生产厂商

Infineon Technologies

infineon

#1

数量:468
1+¥9.5044
10+¥7.5898
100+¥5.8804
500+¥5.1967
1000+¥4.1026
2500+¥3.624
5000+¥3.5556
10000+¥3.4872
25000+¥3.2274
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IPI180N10N3 G产品详细规格

规格书 IPI180N10N3 G datasheet 规格书
IPx180N10N3 G
Rohs Lead free / RoHS Compliant
标准包装 500
FET 型 MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET特点 Standard
漏极至源极电压(VDSS) 100V
电流-连续漏极(编号)@ 25°C 43A
Rds(最大)@ ID,VGS 18 mOhm @ 33A, 10V
VGS(TH)(最大)@ Id 3.5V @ 33µA
栅极电荷(Qg)@ VGS 25nC @ 10V
输入电容(Ciss)@ Vds的 1800pF @ 50V
功率 - 最大 71W
安装类型 Through Hole
包/盒 TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
供应商器件封装 PG-TO262-3
包装材料 Tube

IPI180N10N3 G系列产品

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